質量管理系統

質量管理系統

質量是一種投資,而不是成本。這適用於我們的客戶以及我們。完善的質量管理體系(QMS)使我們能夠系統地控制所有與質量相關的流程,從而確保我們的產品和服務的質量。在此基礎上,我們能夠充分利用我們的專業知識,為客戶創造價值。信任和誠實的協作使我們能夠將反饋轉化為改進,從而實現最高水平的客戶滿意度。

我們 QMS 的主要特點

  • 明確定義的管理結構,貼切流程和戰略計劃
  • 自上而下的戰略定義和目標部署流程
  • 自下而上的目標成就和報告流程
  • 專注於持續保持高水平質量意識的措施
  • silicongear 符合 ISO 9001國際質量管理標準
  • 資格和可靠性

    我們始終致力於履行承諾並提供所需的質量。這就是我們的產品經過專門的認證過程的原因。此過程驗證了我們產品的功能性,可靠性和可製造性。它還確保產品適合我們的客戶後續處理。

    因此,我們採用整體方法:重點不僅僅放在產品本身上; 還考慮了其後期運行環境的具體要求。相關軟件和硬件也包含在此過程中。

    運營績效控制

    相關的晶圓技術和封裝技術在產品認證之前是合格的。該步驟包括對特定故障機制的詳細調查。該程序的特點是儘早識別客戶的需求;還考慮了潛在的未來市場發展。在晶圓和封裝技術的整個開發階段進行詳細的可靠性測試可確保我們產品的內置質量。

    產品認證證明了最終產品的可靠性,包括芯片,封裝和芯片/封裝的交互和設計。

    所有資格測試均按照國際標準執行,如 AEC(汽車電子委員會)、JEDEC(聯合電子設備工程委員會)、MIL(軍用標準)和 IEC(國際電工委員會)。

  • 持續的改進

    對持續改進的渴望深深植根於我們的企業文化中。它在質量和穩定性方面提高了我們的產品,流程和服務的性能。

    我們支持持續改進和解決問題的方法並使用8D 工具和精益方法進行了豐富,以提高業務流程的質量和效率。

    內部改善活動

    公司範圍的戰略計劃幫助我們在質量,研發,銷售和營銷以及生產力方面進行改進。

    我們支持所有地區和職能部門的員工提交改進建議。由於我們的員工最了解他們的特定責任領域,因此這是在許多不同的工作領域改進我們的方法的權宜之計,例如產品質量,工藝簡化,環境保護和提高性能。

  • 供應商質量管理

    為了使我們成為質量領導者,我們的供應商也必須滿足高水平的質量要求。silicongear 遵循全面供應商管理原則,確保所有類型的供應商(材料,設備和備件供應商,矽代工廠,外包裝配和測試製造服務)符合silicongear 在功能,準時交付方面的要求和期望和質量。

    供應商參與和資格管理

    在供應商選擇過程中,供應商會對專業知識,持續製造能力和安全性進行詳細的評估和風險分析。供應商還必須滿足社會責任和質量管理體系成熟度的先決條件。silicongear 對工藝材料供應商的最低要求是根據 ISO 9001的第三方認證質量管理體系。此外,直接材料供應商(最終產品中可以找到的材料,如矽和金,銅或鋁線)必須符合 IATF16949的要求。對於矽代工服務和 OSAT服務,silicongear 根據 IATF16949要求提供第三方認證的質量管理體系。除了供應商的資格外,所提供的材料,設備或服務也經過評估並符合每項個人使用的資格。

    運營績效控制

    我們希望我們的供應商在其業務領域擁有全面的專業知識和能力,以防止出現缺陷。我們還期望在數據分析,統計過程控制和其他安全方法方面具有強大的能力,以防止異常的產品被運送到 silicongear。此外,我們非常重視供應商的持續改進和自我驅動的零缺陷計劃,以防止檢測到的缺陷再次發生。silicongear 監控並審查供應商的運營績效,以指導供應商滿足我們的要求。為了滿足並維護客戶的要求,我們準備與供應商合作,在整個供應鏈中實施可持續改進。

    供應商開發

    半導體行業的特點是技術和質量要求不斷提高。為了在未來繼續滿足並保持客戶和市場的質量要求,我們與供應商密切合作,在整個供應鏈中實施可持續的質量改進。

  • 變更管理和 PCN

    在 silicongear,我們遵循全球變更管理流程,該流程描述瞭如何引入和管理產品和產品實現流程的變更,直至交付給客戶。全球變更管理流程可確保符合 ISO 9001,行業特定標準和個人客戶合同。

    特定於變更和自動化的工作流程控制製造和業務部門之間的公司範圍,跨職能審批和信息流程。綜合風險評估,所有利益相關方的變更特定審核以及管理層變更審核委員會的發布都有助於實現我們的質量目標:我們的承諾是零缺陷。

    全球變革管理過程包括四個階段

    • 1. 變更請求計劃

      此階段的主要特徵是技術可行性分析。定義範圍和項目計劃,並提供有關客戶參與的初步評估。在該過程的早期階段進行第一次風險評估。該階段由一般項目批准結束。

    • 2. 評估和準備

      此步驟涵蓋定義目標流程和準備執行更改所需的所有生產數據的所有活動。項目階段由流程凍結和變更實現版本終止。

    • 3. 資格認證

      資格認證 此階段旨在完全符合目標流程 - 以及所有相應的產品(如果需要)。對於重大變化,客戶可能會參與 silicongear 樣品過程的鑑定。

    • 4. 實施

      完成變更管理流程,完全實施先前定義和準備的所有變更。

    產品和工藝變更通知

    如果產品發生重大變化,可能會影響產品的形狀,配合或功能,或對產品的質量或可靠性產生不利影響,silicongear 將通過產品/工藝變更通知(PCN)通知受影響的客戶。我們遵循國際標準,例如 JOINT JEDEC / ECIA / IPC 標準 J-STD-046“電子產品供應商的產品/工藝變更的客戶通知標準”。

    客戶將在更改產品的計劃首次發貨日期之前至少90天通過我們的銷售渠道獲得通知。根據 JEDEC J-STD-046 標準,如果在 PCN 分發後30天內未收到異議,則認為該變更已被接受。如果發生細微變化,客戶將經由信息被通知。

    產品停產

    silicongear 產品停產(PD)流程,也稱為壽命終止(EOL)或產品終止通知(PTN)流程,遵循 JOINT JEDEC / ECIA / IPC 標準 J-STD-048”產品通知標準中止”。客戶在最後一個訂購日期之前至少6個月(LOD 或 LTB=上次購買)通知,最後交貨日期(LDD)前6個月,共計12個月。

  • 投訴管理和解決問題

    客戶滿意度是我們的首要任務。為實現這一目標,有必要了解客戶的需求和要求。同樣重要的是:如果我們無法滿足要求,我們必須了解它。基於這些知識,我們能夠改進我們的產品和服務。我們希望徹底分析偏差,找出所有根本原因並通過長期改進消除它們,同時防止任何形式的再次發生。因此,我們在整個價值鏈中建立了一個運作良好的投訴管理系統。支持這一過程的每個人都有共同的目標,即盡快糾正任何偏差。

    silicongear 遵循8D 問題解決方法來理解和糾正已確認的偏差。一個主要原則是作為一個團隊以及與客戶的密切和透明的合作。如果出現投訴,客戶界面會根據完整性,一致性和數據準確性驗證所提供的所有投訴信息。客戶界面還會在投訴處理過程中定期更新客戶,從驗證到最終報告。這是持續強大和信任的伙伴關係的基礎。我們的投訴管理流程符合 JEDEC,VDA 和 IATF 等國際標準。

    如果您有投訴,請聯繫您的銷售代表,銷售代表將與您的專用客戶界面安排聯繫。請使用CAR表格確保提供分析所需的所有信息。

  • 故障分析

    故障分析和設備及技術特性

    故障分析是提高我們產品和技術可靠性的關鍵能力。它進一步幫助我們在更短的時間內為市場做好準備,對提高產量至關重要,從而提高生產效率。

    我們運營我們的故障分析(FA)實驗室,擁有先進的設備和高技能的工程人員。silicongear 的 FA 實驗室是公司範圍內持續優化流程的一部分。FA 支持提高芯片相關(前端)和封裝相關(後端)工廠的產量的程序。它調查產品開發過程中的設計問題,並作為資格認證過程的一部分,分析應力部分,以確保電子設備在整個生命週期內都能正常工作。

    如果客戶投訴,FA 會調查根本原因,以防止將來出現類似問題。如果是單個故障設備(這是客戶投訴的典型情況),則會根據預定義的分析流程分析故障設備:

    • 1. 驗證

      在驗證設備報告的異常行為時,客戶對設備歷史記錄的精確描述(例如壓力,應用條件和觀察到的故障行為)對於成功分析至關重要。根據此驗證的複雜程度,使用工作台測量,應用板和復雜的自動測試系統。除電氣測試外,還使用非破壞性方法(如X射線和掃描聲學顯微鏡)研究設備。

    • 2. 設備準備

      驗證後,分析工程師必須決定訪問設備故障部件的最佳方法。根據問題以及芯片和封裝技術,芯片從正面或背面露出。這確保了不會消除故障的證據,同時為第一個定位步驟授予必要的光學訪問。

    • 3. 第一次定位使用

      不同的方法,如光學微電子顯微鏡,激光方法和紅外鎖定熱成像,來找到器件的失效區域。這些方法依賴於觀察由故障引起的物理特徵,例如異常電流,亮點或溫度。通常使用幾種互補的方法來獲得結論性圖片。

    • 4. 電器測量

      當定位方法沒有完全揭示確切的故障位置時,必須執行芯片電路內部的進一步電測量。這些可以包括微觀電子探針,其使用非接觸式,基於激光的方法從前側接觸芯片,或者對於更小的裝置,從後側接觸芯片。一旦問題縮小到特定位置 - 通常在微米範圍內 - 分析工程師會小心地移除周圍的材料,直到缺陷變得可見。這是通過化學和機械製備方法的組合來完成的,通常與進一步的電測量相結合。根據問題,這些測量和破壞性準備可能涉及許多具有挑戰性的步驟,因此非常耗時。

    • 5. 物理分析

      一旦發現缺陷並且我們清楚地了解了失效機理,就會用適當的成像和表徵方法研究根本原因。這些包括例如聚焦離子束顯微鏡,穿透式電子顯微鏡,電子能量損失譜分析分析和歐傑電子能譜儀。分析步驟和結果記錄在詳細報告中,該報告是後續根本原因分析的基礎。根據此分析採取糾正措施。